電磁脈沖防護(hù)理論與技術(shù)

HEMP/LEMP的產(chǎn)生與危害：
核爆以一種獨(dú)特的方式與地球磁場和大氣相互作用，從而產(chǎn)生電磁脈沖（EMP）；在目標(biāo)區(qū)域產(chǎn)生強(qiáng)大的電磁脈沖沖擊波，電場強(qiáng)度從1000V/m ～10^5V/m不等，具有高電壓、高場強(qiáng)、頻譜寬、范圍廣的特點(diǎn)，通過強(qiáng)大的輻射耦合效應(yīng)，或者通過各類線纜進(jìn)入電子、電氣設(shè)備，對設(shè)備內(nèi)部的半導(dǎo)體組件構(gòu)成強(qiáng)大的損毀效應(yīng)。
西北核技術(shù)研究所崔志同等利用PCI試驗(yàn)方法研究了電磁脈沖對集成半導(dǎo)體器件的損傷閾值，獲得了閾值的概率分布函數(shù)，最小損傷閥值為15A，同時(shí)，幾個(gè)安培的脈沖電流即可引發(fā)敏感性問題。按照場隨時(shí)間變化的關(guān)系，電磁脈沖由三個(gè)部分構(gòu)成，分別定義為：E1、E2、E3。電磁脈沖濾波器的用途：在E1、E2階段，對分配電接口的后續(xù)用電設(shè)備提供電磁脈沖防護(hù)。

電磁脈沖的頻譜特征：
LEMP雷電電磁脈沖屬于雷電二次效應(yīng)，在GJB8848(MIL-STD-464)標(biāo)準(zhǔn)中均有明確考核要求，其主要特點(diǎn)是：上升沿較寬，頻譜主要分布在0~10MHz以內(nèi)，頻譜分布較HEMP簡單，更容易防護(hù)。
HEMP在地表附近傳播時(shí)，大致為一個(gè)平面波。時(shí)域波形為一個(gè)雙指數(shù)波形，它的數(shù)學(xué)表達(dá)式為一個(gè)基于常數(shù)e的指數(shù)函數(shù)。根據(jù)行業(yè)的工程數(shù)據(jù)，在目標(biāo)區(qū)域的功率頻譜分布大致如下圖所示 。

電磁脈沖的耦合機(jī)理：
EUT/SUT所接收的電磁脈沖干擾，主要取決于場源和空間耦合。 如果我們把核爆簡單的看作是一副發(fā)射天線，則目標(biāo)區(qū)域的場強(qiáng)與天線的發(fā)射功率，方向圖，極化特性，效率，增益，距離等密切關(guān)聯(lián)。同時(shí)，也與EUT/SUT和所在空間場的耦合系數(shù)密不可分。耦合系數(shù)主要受以下條件制約：EUT/SUT的幾何形狀，線纜的分布，搭接狀況，電磁場暴露程度等。??????
系統(tǒng)/設(shè)備級(jí)線纜電磁脈沖解決方案：